SK hynix запускает производство революционной памяти HBM4: 2 ТБ/с и рекордная эффективность

Южнокорейский технологический гигант SK hynix официально завершил разработку и тестирование инновационной памяти HBM4 четвертого поколения. Компания переходит к этапу массового производства новейших модулей, что укрепит её позиции на рынке высокоскоростной памяти.

HBM4 обеспечивает революционное удвоение пропускной способности за счёт расширения шины до 2048 бит и увеличения скорости передачи данных до 10 Гбит/с на контакт. Это позволяет памяти достигать скорости 2 ТБ/с — вдвое больше, чем у предыдущего поколения HBM3E (1-1.2 ТБ/с).

При значительном росте производительности, новое поколение отличается улучшенной энергоэффективностью: потребление снижено на 40% по сравнению с HBM3. Производительность в задачах искусственного интеллекта возрастает на впечатляющие 69%.

«Завершение разработки HBM4 станет новой вехой для отрасли. Оперативный вывод продукции, отвечающей требованиям клиентов к скорости, энергосбережению и надёжности, позволит компании сохранить технологическое лидерство», — подчеркнули в SK hynix.