SK hynix произвела первую поставку образцов памяти HBM4E

Производители памяти понимают, что каждый день промедления заставляет разработчиков графических процессоров искать новых партнеров, способных как можно скорее выводить на рынок передовую память HBM. Из-за этого они всеми силами стараются как можно быстрее разрабатывать новые стандарты и отгружать опытные образцы крупнейшим партнерам.

Samsung смогла опередить конкурентов ещё в прошлом месяце, сообщив об успешной отгрузке первой партии передовых стеков HBM4E. И вот, спустя три недели с того момента, на связь выходит вторая южнокорейская компания в лице SK hynix, которая тоже отгрузила первую опытную партию своим избранным партнерам, а заодно рассказала про характеристики.

Память включает в себя 12 слоев объемом 48 Гбайт, работает со скоростью 16 Гбит/c на контакт, предлагает 20% повышение энергоэффективности и на 17% меньшее тепловое сопротивление. Улучшить отвод тепла получилось при помощи технологии MR-MUF, подразумевающей новый метод заливки пространства между слоями. В будущем, с приходом HBM5, компания перейдет на более эффективное решение iHBM.