Samsung готовит переход на 1d DRAM: сроки и технологические решения

Samsung разрабатывает новые поколения памяти HBM4E и одновременно формирует технологические нормы для производства DRAM.

В настоящее время используются техпроцессы 1c с 11–12 нм и горизонтальной топологией транзисторов; планируется переход на 1d с 10–11 нм и вертикальной топологией. Для этого разрабатывается новое оборудование совместно с партнёрами.

Ожидается, что оборудование будет введено в эксплуатацию во втором квартале 2027 года, а массовое производство начнется не раньше конца 2028 года. Подробности о сроках ожидаются к концу текущего года.

«Samsung активно проводит исследования и разработки совместно с ключевыми партнёрами для стабилизации выпуска годной продукции и объёма производства 1d DRAM. Хотя график может измениться, цель состоит в том, чтобы выпустить оборудование для массового производства во втором или третьем квартале следующего года».