Samsung запустила HBM4E: первый в мире массовый продукт сверхпроизводительной памяти

Samsung стала первой компанией в мире, которая коммерчески поставила первые образцы памяти HBM4E, открыв новый уровень производительности для ИИ и высокопроизводительных вычислений.

Память HBM4E выполнена на базе DRAM‑1c шестого поколения и 4‑нм техпроцесса, включает 12 слоёв и обеспечивает объём 48 ГБ при скорости 14 Гб/с, с перспективой до 16 Гб/с. В будущем планируется выпуск вариантов с 8 и 16 слоями, вмещающих 32‑ и 64‑ГБ соответственно.

Ключевое преимущество заключается в повышении энергоэффективности и улучшенном теплоотводе: стеки потребляют на 16 % меньше энергии и отводят 14 % больше тепла, что критически важно для серверов и дата‑центров.

«С успешным запуском серийного производства HBM4E Samsung подтверждает своё технологическое превосходство и продолжит стимулировать рост мирового рынка памяти для искусственного интеллекта», – заявили представители компании.