Samsung ускоряет переход к HBM4: увеличение производства DRAM

Проблема нехватки DRAM и NAND постепенно смягчается, благодаря слухам о новом направлении Samsung в сторону HBM4. Корейское издание Dealsite заявило, что компания намерена перераспределить 30–40 % своих мощностей с производства HBM3E на обычную DRAM.

Теория состоит в том, что при переходе на HBM4 Samsung сможет повысить маржу: доход от продажи HBM4 оценивается в 30 %, тогда как DRAM, покрытая целевой технологией 10 нм, обещает около 60 % прибыли. Это позволит компании снизить себестоимость и ускорить вывод новых продуктов.

Преобразование станков начинается уже сегодня: Samsung применяет процесс 1b 10 нм, подходящий для DDR5, LPDDR5X, GDDR7 и будущей LPDDR6. В ближайшем времени DRAM станет более прибыльным, чем устаревающие стеки HBM3E, особенно с учётом планируемого развертывания ускорителей с HBM4.