SK hynix создала 3‑D NAND на 375 слоёв, убрав вольфрам из производства

Производители микросхем памяти улучшают характеристики продукции, увеличивая количество слоёв. С каждым новым поколением размещать ещё больше уровней на той же площади становится всё сложнее, и тогда необходим поиск новых решений. SK hynix смогла разработать 3‑D NAND с 375 слоями, пройти проверку производства и теперь готовит модернизацию существующих линий для внедрения этой технологии.

Планировалось, что следующее поколение NAND от данного производителя будет иметь 400 слоёв. Однако вольфрам пришлось исключить по нескольким причинам. Во-первых, его нанесение требует дополнительных материалов и слоёв, что снижает максимально возможное число уровней. Во-вторых, вольфрам уступает молибдену в электропроводности при тонких проводниках.

Кроме того, Китай, ключевой поставщик вольфрама, с начала текущего года резко ограничил экспорт данного материала, из‑за чего японские компании не могут более активно поставлять его для полупроводников. В результате поставки вольфрама для производителей памяти ощутимо сократились, и использование этого элемента не оправдано, особенно когда есть более надёжная замена – молибден, внедрённый Samsung в девятом поколении 286‑слойной памяти V‑NAND.