Samsung создал 900‑слойную 3D NAND: прорыв в супер‑массовой памяти

SK hynix уже лидирует в создании 3D NAND‑флеш‑памяти, предложив чипы с 321 слоем. Для развития более ёмких твердотельных накопителей компания планирует увеличивать число слоёв, что пока выглядит трудным, но, по последним данным, становится реальностью.

Недавно Samsung заявил о разработке нового типа памяти для mass‑data‑storage, при этом снизив износ микросхем. Новое исследование, опубликованное китайским изданием ETNews, сообщает о значительном прорыве в этом направлении.

Согласно источнику, сегодня Samsung успешно создал флеш‑память с 900 слоями, объединив две микросхемы по 450 слою в единый чип с помощью технологии Cell Multi‑Bonding (CMB). Проблему искажения слоёв удалось решить через Upper Chuck Design (UCD) с Overlay Correction.

Новая память находится на прототипном этапе; пока неизвестно, когда она появится на рынке и каковы реальные показатели. Детали будут уточняться по мере завершения разработки.