Samsung возрождает память Z-NAND: скорость до 15 раз выше NAND на фоне стремительного роста ЦОД

Samsung объявила о возрождении технологии Z-NAND, предназначенной для высокопроизводительных систем и центров обработки данных. Новая генерация памяти демонстрирует до 15-кратный прирост производительности по сравнению с традиционной NAND-памятью и до 80% снижения энергозатрат, что критически важно для крупных дата-центров.

Ключевым усовершенствованием стала технология Direct Storage Access, обеспечивающая прямой доступ графического процессора к Z-NAND без участия центрального процессора и ОЗУ. Аналогично потребительскому решению Microsoft DirectStorage, этот подход сокращает задержки и ускоряет обработку больших массивов данных.

Ранее Z-NAND конкурировала с Intel Optane, используя 48-слойные SLC-чипы V-NAND с уменьшенным размером страниц (2-4 Кбайт) против стандартных 8-16 Кбайт. Теперь Samsung позиционирует эту память как ключевой элемент инфраструктуры ЦОД для задач машинного обучения и искусственного интеллекта.