Samsung завершает переход на 2‑нм технологию: перспективы памяти HBM4 и DDR5

Samsung, лидер в сфере полупроводников, объявил о запуске производства микросхем по 2‑нм технологическому процессу, открывающем новые горизонты для высокопроизводительной памяти. Несмотря на то, что стабильные поставки продукции появятся только в следующем году, уже сегодня можно увидеть, как этот шаг меняет правила игры в индустрии.

Компания также озвучила старт производства стека HBM4, который планируется в массовом масштабе к 2026 году. В то же время спрос на HBM3E и ESSD высокой плотности продолжает расти, подтверждая востребованность передовых решений памяти среди крупных дата‑центров и промышленных клиентов.

Samsung активно развивает ассортимент DDR5 оперативной памяти объёмом 128 ГБ и модуль GDDR7 3 ГБ, что позволит поддержать новые видеокарты NVIDIA GeForce RTX 5000 SUPER и обеспечить беспрецедентную скорость обработки данных в AI‑приложениях.

В третьем квартале 2025 года подразделение памяти Samsung достигло рекордного дохода благодаря увеличению продаж HBM3E и удовлетворению высокого спроса в разных сегментах. Положительная ценовая динамика и снижение расходов на корректировку запасов усилили прибыльность.

На следующий квартал 2025 года компания планирует увеличить объемы производства HBM3E, ESSD и других передовых решений памяти, а также расширить продажи DDR5 объёмом 128 ГБ и выше, GDDR7 24 Гбит для серверных и игровых рынков.

В 2026 году основное внимание будет уделено массовому производству HBM4 и расширению рынка HBM, а также расширению DDR5, LPDDR5X и твердотельных накопителей QLC высокой плотности, чтобы удовлетворить растущий спрос на искусственный интеллект и машинное обучение.