Samsung внедряет новое DRAM‑поколение 10a: меньше толщины, больше производительности

Крупные производители DRAM радикально пересматривают свои технологические процессы, перейдя на новый тонкий техпроцесс 10a, где толщина транзисторов ниже 10 нм – 9,5‑9,7 нм. Это знаменует первую попытку Samsung выйти за пределы традиционных 10‑нм ячеек, предлагая более плотную и энергоэффективную память.

Недавний прототип показал, что DRAM 10a использует уникальную структуру квадратных ячеек 4F в сочетании с вертикальными транзисторами, что повышает ёмкость и снижает потребление энергии. Технологию дополняют аморфные оксиды индия, галлия и цинка, открывая новые возможности для материалов.

С такой инновацией компания может опережать конкурентов, предложив основные преимущества: уменьшенный параметр, лучшую производительность и энергоэффективность, что напрямую соответствует потребностям современного рынка мобильных и серверных устройств.