Samsung завершила разработку HBM4: готовность к массовому производству

Если простые пользователи жалуются на неадекватное повышение стоимости модулей оперативной памяти, то сами производители микросхем занимаются более приятными для себя вещами — а именно разработкой HBM следующего поколения, и делают это весьма успешно.

Отраслевые источники сообщают, что Samsung завершила разработку HBM4 и получила одобрение готовности к производству. Компания полностью готова производить новое поколение памяти для ускорителей высокопроизводительных вычислений. Массовое производство начнётся, когда NVIDIA подпишет контракт на память для своей платформы следующего поколения Vera Rubin.

Samsung разработала стеки HBM4 специально для нужд NVIDIA, повысив скорость передачи данных на контакт до 11 Гбит/с, что несколько выше отраслевого стандарта, принятого комитетом JEDEC. Новая память строится на базовом слое с применением 4‑нм технологической нормы для снижения энергопотребления и повышения производительности, а сами слои памяти изготавливаются по передовой норме 1c DRAM.