Intel демонстрирует прототип Z‑Angle Memory (ZAM): новая энергоэффективная и диагональная DRAM для дата‑центров

На мероприятии Intel Connection Japan 2026 компания представила первый прототип своей новой памяти Z‑Angle Memory (ZAM). Это событие может быть интересно и обычным пользователям, поскольку демонстрация показала перспективную технологию.

Z‑Angle Memory (ZAM) позиционируется как конкурент стеков HBM, предлагая на 40–50 % меньшее энергопотребление, большую ёмкость и, самое главное, диагональную схему межсоединений — уникальную «ступенчатую» конструкцию, не требующую вертикального расположения. Такое исполнение существенно облегчает отвод тепла.

Структура памяти включает логическую плитку, несколько слоёв DRAM, угловые межсоединения, центральный тепловый столб и силиконовую накладку на верхней части. Для владельцев дата‑центров ZAM позволит снизить потребление электроэнергии, упростить систему охлаждения и уменьшить общую стоимость владения.

Пока Intel не раскрывает точные характеристики продукта и сроки появления серийных образцов.