TSMC запускает производство 2 нм чипов с GAAFET: повышение производительности и энергоэффективности

Предпоследний день 2025 года оказался важным для тайваньского гиганта в полупроводниковой промышленности TSMC, который тихо сообщил о начале массового производства полупроводников с применением передовой 2 нм технологической нормы.

Новая технология отличается от предыдущих норм благодаря транзисторам GAAFET, которые улучшают электростатический контроль, уменьшают утечки тока и положительно влияют на характеристики. Компания указывает на повышение производительности на 10–15%, энергоэффективности на 25–30% и плотности транзисторов на 15% по сравнению с N3E.

Производство по передовой технологической норме запустили на линии Fab 22 недалеко от Гаосюна, Тайвань. Затем производство начнётся и на Fab 20 в Синьчжу, Тайвань. Таким образом, две фабрики начнут производство современной продукции, а в дальнейшем смогут перейти на N2P с улучшенными характеристиками и на A16 с подачей питания с обратной стороны.

Что касается эффективности внедрения, за первый год заказы с применением N2 превзойдут N5 в два раза, а за второй год показатели будут в четыре раза выше.