Marvell раскрывает SRAM нового поколения: 80% экономии энергии и 37% сокращения площади

Marvell представил новый SRAM на 2‑нм, снижающий энергопотребление на 80 %, площадь на 37 % и повышающий производительность на 22 %. Память быстрее, чем в современных 3‑нм чипах, и экономит место на кристалле.

Проект использует 2‑нм технологию, которая удваивает пропускную способность на квадратный миллиметр по сравнению с HBM4E и повышает скорость чтения/записи в два раза. Это делает SRAM более гибкой для интеграции в процессоры, где требуются большие быстрое буферы.

Marvell утверждает, что их решение потребляет 66 % меньше энергии в режиме простоя и занимает 50 % меньше площади, чем лучшие аналоги на рынке. Такой прогресс продемонстрировал значительный вклад в баланс энергоэффективности и производительности в новых чипах.